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SK Hynix utilisera une nouvelle photorésistance dans la production de DRAM 1c

2024-12-30

Alors que la miniaturisation de la DRAM continue d'avancer, des entreprises telles que SK Hynix et Samsung Electronics se concentrent sur le développement et l'application de nouveaux matériaux.
Selon TheElec, SK Hynix prévoit d'utiliser la photorésiste aux oxydes métalliques (MOR) de nouvelle génération d'Inpria dans la production de DRAM de 6e génération (processus 1c, environ 10 nm),qui est la première fois que le MOR est appliqué au processus de production de masse de DRAM.

La DRAM 1c produite en série par SK Hynix comporte cinq couches d'ultraviolet extrême (EUV), dont l'une sera dessinée à l'aide de MOR, ont indiqué les sources."Non seulement SK Hynix mais aussi Samsung Electronics poursuivront de tels matériaux PR inorganiques" Il a ajouté.

Inpria est une filiale de la société chimique japonaise JSR et un chef de file dans le domaine de la photorésistance inorganique.Le MOR est considéré comme la prochaine génération de photorésistants chimiquement amplifiés (CAR) actuellement utilisés dans la lithographie à puce avancée.

En outre, la société travaille avec SK Hynix sur la recherche sur le MOR depuis 2022.SK Hynix a précédemment déclaré que l'utilisation de la photorésistance à base d'oxyde de Sn aiderait à améliorer les performances de la DRAM de nouvelle génération et à réduire les coûts..

Le rapport de TheElec a également noté que Samsung Electronics envisage également d'appliquer MOR à la DRAM 1c et qu'actuellement Samsung Electronics applique six à sept couches EUV à la DRAM 1c,alors que Micron n'applique qu'une seule couche.

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